產(chǎn)品名稱：去蠟液
1背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,晶片尺寸逐步向大尺寸方向發(fā)展。鍵合蠟拋光逐步成為大直徑晶片的主要拋光方式。為了增加LED芯片的亮度,對(duì)于厚度較薄的晶片而言,由于鍵合蠟拋光是將晶片完全固定在基板上,具有在拋光過程中不易碎片的特點(diǎn),因此也成為厚度較薄晶片的主要拋光方式。由于采用有蠟拋光的方式對(duì)晶片進(jìn)行拋光,去除晶片背表面的蠟,防止多余的蠟對(duì)晶片正表面形成沾污造成不良,就必須增加晶片去蠟的工藝過程。
2產(chǎn)品特點(diǎn)：
采用獨(dú)特的溶蠟劑、滲透劑、助溶劑、防腐劑等優(yōu)質(zhì)表面活性劑，經(jīng)科學(xué)方法配制而成。具有除蠟快速?gòu)氐?、?rùn)濕滲透能力強(qiáng)、配比濃度低、持效時(shí)間長(zhǎng)、防蝕效果優(yōu)異，使拋光表面光亮無斑及水洗性好等特點(diǎn)。
3產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
?本產(chǎn)品為通用EC2030去蠟液，即用于鋼鐵、合金工件上的除蠟;
?滲透、溶解能力強(qiáng)，除蠟速度快，不傷基體；
?適用范圍廣，適用于各種蠟類；
?使用濃度低、對(duì)油污容納量高、壽命長(zhǎng)、經(jīng)濟(jì)耐用。
4參數(shù)參數(shù)
1)外觀：無色透明液體
2)比重：0.845±0.010
5使用方法：
5.1濃度：10～20%兌水
5.2溫度：
1)熱浸70～90℃（時(shí)間5～10分鐘）
2)超聲波：50～80℃（時(shí)間30秒～10分鐘）
